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Course aux nanomètres > Ultraviolet extrême

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Introduction
La lithographie par immersion
L'Ultraviolet Extrême
Les nouveaux semiconducteurs
La fin du transistor ?
Les optimisations
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L'ultraviolet extrême (ou EUV) représente a priori l'incontournable avenir des fabricants de semiconducteurs pour les 20 prochaines années à venir. Même s'il nécessite des investissements coûteux, car l'ensemble de la chaîne de production reste à changer, c'est la seule technique connue pour franchir la barre des 32 nanomètres pour aller jusqu'au 5 nanomètres.

Les appareils de gravure fonctionnent déjà en s'appuyant sur le rayonnement ultraviolet, c'est d'ailleurs ce bombardement d'UV appliqué sur un modèle photosensible qui constitue la première étape conduisant à la réalisation d'un micro-processeur. Pour graver de manière plus fine, les chercheurs ont d'ailleurs retravaillés la longueur d'onde pour passer de l'ultraviolet 248 nm à 193 nm puis 157 nm.

Mais ce système atteint sa limite, car à partir de 157 nm l'air qui sépare l'optique de la plaquette devient absorbant et nécessite alors une atmosphère exempte de vapeur d'eau et d'oxygène. L'ultraviolet extrême repose sur un procédé différent, puisque la longueur d'onde utilisé se situe entre le rayon X et le rayonnement ultraviolet (on les appelle d'ailleurs "rayons X mous", à l'inverse des "rayons X durs" dont la longueur d'onde plus courte se rapproche de celle des rayons gamma).

AMD comme Intel ont l'intention de recourir à l'ultraviolet extrême lorsque la finesse de gravure des transistors sur un processeur atteindra 32 nanomètres (65 nanomètres actuellement) soit vers 2010. AMD préfère même étendre un peu la durée de vie de son infrastructure actuelle par la lithographie en immersion, au vu de l'investissement que nécessite actuellement l'ultraviolet extrême.

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