Innovation : une SRAM de 0,128 micromètres carrés

Toshiba, IBM et AMD annoncent qu'ils ont développé une cellule de mémoire vive statique (SRAM) d'une superficie de 0,128 micromètres carrés (μm2). Ils revendiquent que cette SRAM est la plus petite du monde. Cette innovation fait appel à des transistors à effet de champ à ailettes (FinFET). Les cellules SRAM équipent la plupart des circuits intégrés de grande taille au niveau système, tels que des microprocesseurs. Cette technologie a été annoncée le 16 décembre lors de la conférence internationale Electron Devices Meeting 2008 qui s'est tenue à San Francisco, en Californie.