Intel et Micron multiplient par 5 les performances des mémoires Flash

Intel et Micron viennent de développer une nouvelle puce à mémoire flash plus rapide. D'une capacité de 8 Go, cette mémoire flash de type NAND est construite sur une architecture de cellule à un niveau. Elle affiche une vitesse en lecture de 200 Mo/s et une vitesse d'écriture de 100 Mo/s, quand ses concurrentes se situent plutôt à des taux de transfert de 40 Mo/s en lecture, et de 20 Mo/s en écriture. Avec la capacité des mémoires flash qui augmentent, c'est aussi sur le taux de transfert que portent les efforts des constructeurs. Un effort nécessaire pour que les mémoires flash puissent remplacer à terme les disques durs, au moins sur les PC portables.