Hynix et Toshiba travaillent sur le successeur de la DRAM

Les deux fabricants unissent leurs forces pour développer des puces mémoire magnétorésistante de type MRAM. La création d'une joint-venture pour produire les nouvelles puces est à l'étude.

Le japonais Toshiba et le coréen Hynix croient dur comme fer à la technologie de mémoire dite magnétorésistante (Magnetoresistive Random Access Memory), présentées depuis les années 90 comme une sérieuse alternative aux mémoires de type DRAM mondialement répandues.

La technologie de mémoire MRAM a pour principale caractéristique de pouvoir changer la valeur de sa résistance électrique en présence d'un champ magnétique externe. Cette dernière permet d'accroître de façon significative le temps d'accès aux données tout en consommant moins d'énergie.

L'accord de co-développement signé entre Hynix et Toshiba pourrait déboucher sur la création d'une société commune pour produire les composants de mémoires MRAM. Les deux fournisseurs ont par ailleurs annoncé avoir étendu leurs accords de licences croisées et de contrats d'approvisionnements produits.

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