|
La gravure représente l'étape la plus délicate. Armée du composant, la galette de silicium, et des schémas du processeur, la chaîne de fabrication commence par chauffer à plus de 1 000°C la plaque de silicium. Par une réaction naturelle va se former une couche d'oxyde à la surface de la plaque, qui servira de protection à la plaque de silicium pure.
La deuxième étape du processus de gravure passe par l'ajout d'une couche de vernis photosensible. Dès lors, il suffit de passer l'ensemble sous des rayons UV en appliquant le masque défini par le schéma du processeur comme modèle. Après cette étape, la galette de silicium est encore une fois nettoyée de ses impuretés.
Vient alors l'étape du dopage, qui consiste en un bombardement d'ions de manière à charger positivement ou négativement certaines zones de la future puce.
Salle de gravure des processeurs chez STMicroelectronics
Lorsque le dopage est terminé, la gravure recommence mais, cette fois-ci, sur une autre couche de la puce, afin d'établir les connexions entre les différents composants électroniques d'un même processeur. Par plaque de silicium, les fondeurs peuvent concevoir plusieurs centaines de processeurs à la fois. Cependant, en bout de chaîne, 40 à 60% seulement des échantillons seront conservés, les autres ne répondront pas aux critères de performance.
Actuellement, la finesse de gravure d'un transistor, élément essentiel du processeur, atteint 65 nanomètres. Elle devrait passer en 45 nanomètres à l'horizon 2007-2008.
|
|
