NAND 3D, l'arme fatale des constructeurs de mémoires Flash
Samsung et Toshiba sont partis à l'assaut du nouveau marché des mémoires Flash NAND 3D. En juillet, le coréen a annoncé le début de la production en masse de ses nouvelles puces V-NAND à 128 GB. Un mois plus tard, son compétiteur japonais a répliqué en lançant la construction d'une salle blanche sur son site de Yokkaichi, exploitée en partenariat avec SanDisk, où seront produites en masse ses puces à mémoire de nouvelle génération.
Mais quelles sont exactement les promesses de la mémoire Flash NAND 3D par rapport aux mémoires Flash NAND traditionnelles ? "Les principaux atouts de la mémoire Flash NAND 3D se trouvent dans un coût de production moins élevé et une fiabilité améliorée grâce à une structure en plusieurs couches verticales qui permet d'accroître la densité de bits par unité de surface tout en facilitant les procédés de gravure par rapport à la mémoire Flash NAND plane", explique Brady Wang, Principal Research Analyst au cabinet Gartner.
Le seuil de la finesse de gravure de 10 nm amène les constructeurs à se positionner
La technologie de mémoire Flash NAND 3D n'est pourtant pas nouvelle. Les premiers prototypes ont été conçus dès le début des années 2000, et même avant. Mais si les constructeurs de mémoire n'ont pas souhaité se lancer plus tôt dans la bataille des mémoires Flash NAND de nouvelle génération, c'est qu'ils avaient privilégié jusqu'à présent une autre tactique basée sur l'amélioration de la finesse de gravure. Or, il se trouve qu'à l'approche des 10 nm, un seuil a été atteint.
"Les fournisseurs se sont rendus compte que les progrès en matière de développement d'équipements de gravure deviennent à la fois longs, coûteux et contraignants et que la meilleure façon pour étendre la durée de vie de la technologie Flash NAND est de passer par une structure 3D de la mémoire avant de se tourner ensuite vers d'autres types de mémoires émergentes", poursuit Brady Wang.
Afin d'optimiser encore plus le passage d'une technologie de mémoire Flash NAND plane à la 3D, certains constructeurs n'hésitent d'ailleurs pas à mettre les bouchées doubles. Samsung, par exemple, a mis au point un procédé de fabrication, baptisé Charge Trap Flash (CTF), qui permet d'améliorer encore plus la fiabilité de sa nouvelle génération de mémoires, et d'en multiplier par deux les performances en termes de taux de transfert par rapport à ses meilleures mémoires actuelles.
Tablettes et smartphones sont les prochaines cibles de la NAND 3D
Samsung est d'ailleurs bien décidé à conserver son avance sur ce nouveau marché en proposant en parallèle les premiers débouchés concrets de la mémoire Flash NAND 3D, à commencer par une toute nouvelle gamme de SSD (Solid State Drives). "Dans un premier temps, la mémoire Flash NAND 3D se retrouvera dans les SSD haut de gamme dont le niveau d'exigence en termes de fiabilité est très important. Ensuite, les tablettes et smartphones seront les prochaines cibles, bien qu'il faudra attendre que les contrôleurs de mémoire de ces terminaux gagnent en maturité", indique Brady Wang.
Si Samsung est le premier à se lancer, il est loin d'être le seul. Toshiba, allié à SanDisk, est ainsi un compétiteur de poids sur la ligne de départ, après avoir pendant longtemps privilégier l'extension du cycle de vie de sa technologie de mémoire Flash NAND plane. Mais SK Hynix est aussi dans les starting-blocks, tout comme Micron qui lancera également la mise en production de ses mémoires NAND 3D début 2014.