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Course aux nanomètres > Lithographie par immersion

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  Sommaire
Introduction
La lithographie par immersion
L'Ultraviolet Extrême
Les nouveaux semiconducteurs
La fin du transistor ?
Les optimisations
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La lithographie, procédé actuellement utilisé pour la production des processeurs qui consiste à imprimer sur une feuille de silicium le schéma logique définissant le fonctionnement de la puce, s'appuie pour l'instant sur deux techniques : le rayonnement ultraviolet et une couche photosensible appliqué sur la galette de silicium. Le principe de la lithographie en immersion consiste alors à appliquer entre la galette de silicium et le rayonnement ultraviolet de l'eau.

Cette technique nécessite très peu de changement sur les outils d'usines des fabricants de semiconducteurs. Elle améliore en revanche sensiblement la qualité de gravure grâce aux propriétés physiques de l'eau qui dispose d'un indice de réfraction supérieur à l'air. Cet indice de réfraction permet alors d'obtenir une résolution plus élevée à la gravure pour graver ensuite des transistors plus petits par exemple.

La lithographique par immersion peut se faire soit en plaçant l'eau sur la plaquette et en la nettoyant après chaque insolation, soit en baignant constamment la plaquette dans l'eau, soit enfin en immergeant la totalité du système dans l'eau (plaquette et laser).

AMD et IBM ont déjà annoncé qu'ils feraient basculer leur production de puces vers la lithographie par immersion à partir du 45 nanomètres soit la prochaine étape dans la course à la finesse de gravure prévue pour 2007-2008. Intel, plus réticent, hésite entre la gravure par immersion et la gravure par ultraviolet extrême.

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