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Comme toujours dans ce domaine d'activité, la recherche avance presque myope, obligée de défricher le terrain à long terme même si une petite partie seulement des investissements seront au final exploitables. Ainsi, si le chemin jusqu'au 32 nanomètres semble tracé, la suite n'est encore envisagée que sous forme d'hypothèses.

Parmi celles-ci, la plus probable semble être à long terme le recours à de nouveaux semiconducteurs, voire à l'utilisation de molécules à la place des transistors actuels. Car si l'ultraviolet extrême repousse pour un temps les contraintes du silicium, son coût élevé va demander une dizaine d'années aux constructeurs pour être pleinement rentabilisé. Un délai dont pourront profiter les solutions alternatives au silicium pour faire leurs preuves.

Autre tâche de fond, l'optimisation des puces devient de plus en plus cruciale pour se distinguer de la concurrence. En plus d'améliorer la fiabilité d'un modèle en travaillant son jeu d'instruction, ses appels mémoires ou ses interfaces, les fondeurs optimisent désormais le rendement performances / énergie consommée. Les clients de centre de données y sont particulièrement attentifs pour le prix facturés, tandis que les entreprises en tiennent compte pour éviter toute surchauffe des serveurs lames (serveurs où la puissance de calcul est condensée sur une petite surface).

Les prochaines étapes dans la finesse de gravure des transistors
Finesse de gravure
Intel
AMD
65 nm
2005
2006
45 nm
2007
2008
32 nm
2010
2011
22 nm
2013
?
16 nm
?
?
10 nm
?
?
5 nm
annoncé pour 2018
?
Source : constructeurs, décembre 2006
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