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Comme toujours dans ce domaine d'activité, la recherche
avance presque myope, obligée de défricher le
terrain à long terme même si une petite partie
seulement des investissements seront au final exploitables.
Ainsi, si le chemin jusqu'au 32 nanomètres semble tracé,
la suite n'est encore envisagée que sous forme d'hypothèses.
Parmi celles-ci, la plus probable semble être à
long terme le recours à de nouveaux semiconducteurs,
voire à l'utilisation de molécules à
la place des transistors actuels. Car si l'ultraviolet extrême
repousse pour un temps les contraintes du silicium, son coût
élevé va demander une dizaine d'années
aux constructeurs pour être pleinement rentabilisé.
Un délai dont pourront profiter les solutions alternatives
au silicium pour faire leurs preuves.
Autre tâche de fond, l'optimisation des puces devient de plus en plus cruciale pour se distinguer de la concurrence. En plus d'améliorer la fiabilité d'un modèle en travaillant son jeu d'instruction, ses appels mémoires ou ses interfaces, les fondeurs optimisent désormais le rendement performances / énergie consommée. Les clients de centre de données y sont particulièrement attentifs pour le prix facturés, tandis que les entreprises en tiennent compte pour éviter toute surchauffe des serveurs lames (serveurs où la puissance de calcul est condensée sur une petite surface).
Les prochaines étapes dans la finesse de gravure des transistors
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Finesse de gravure
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Intel
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AMD
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65 nm
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2005
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2006
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45 nm
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2007
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2008
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32 nm
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2010
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2011
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22 nm
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2013
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?
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16 nm
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?
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?
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10 nm
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?
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?
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5 nm
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annoncé pour 2018
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Source : constructeurs, décembre 2006
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