IBM : la relève des transistors en silicium arrive
Travaillant activement sur la conception de nouvelles technologies de puce, IBM avait indiqué en 2010 être parvenu à mettre au point un transistor en graphène cadencé à 100 Ghz, puis en juin 2011 à graver un wafer en carbure de silicium. Big Blue vient une fois encore de signer une avancée notable en effectuant une démonstration de sa nouvelle génération de transistor en nanotube de carbone.
Le nanotube de carbone, qui se compose d'une feuille de graphite formée d'atomes de carbone et enroulée sur elle-même comme un cigare, bénéficie de propriétés très intéressantes en termes de conductivité et de résistance à la chaleur. Grâce à cette matière, IBM a été en mesure de fondre un transistor gravé en 9 nm, et capable de fonctionner à une très basse tension, soit 0,5 volt. Rien a voir avec le silicium dont la taille de gravure ne pourra jamais descendre en-dessous des 11 nanomètres, et dont la consommation électrique est largement supérieure.
On est pourtant loin de la phase de mise en production massive. A titre de comparaison, le fondeur Intel a indiqué la fabrication de puces à base de silicium traditionnel gravé en 11 nm pour 2015.